革命性3D X-DRAM技術問世，預計將DRAM容量提升10倍
來源： 科技新聞網
NEO Semiconductor推出新一代3D X-DRAM技術，旨在將DRAM位元容量提高10倍。該技術包括1T1C和3T0C兩種設計，預計2026年將進行概念驗證測試。新技術採用氧化銦鎵鋅（IGZO）材料，結合3D NAND製程，預計能在單一模組上達到512 Gb（64 GB）的容量，並提供10 ns的讀/寫速度和超過9分鐘的保留時間。
重點整理
NEO Semiconductor推出新一代3D X-DRAM技術，目標是將DRAM位元容量提高10倍。
新技術包括1T1C和3T0C兩種設計，預計2026年進行概念驗證測試。
採用氧化銦鎵鋅（IGZO）材料和3D NAND製程，預計能在單一模組上達到512 Gb（64 GB）的容量。
新技術提供10 ns的讀/寫速度和超過9分鐘的保留時間，領先當前DRAM的效能。
NEO Semiconductor希望現有的3D NAND製造設施能快速升級以生產新設計的產品。
NEO Semiconductor將在IEEE IMW上分享更多相關資訊。
其他公司如DRAM+和SK海力士也在開發下一代DRAM技術。
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